可控雪崩二极管,controlled avalanche diode,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

       内中PNN构造工艺简略,在适中的电流密度下能博得较大的负阻,且频谱较宽,故此在工业中使用较多。

       只是,光电流的这种雪崩加倍并不是绝对志向的。

       1生2,2生4,像雪崩一样增多载流子。

       5、肖特基二极管肖特基二极管是一样低功耗、超高速的二极管。

       雪崩光电二极管是具有内部增益光电探测器,雪崩增益虽比光电加倍管PMT小的多,但是仍使APD的灵敏度比PIN光电二极管高的多,速决了PIN光电二极管灵敏度低的情况,在高速调制微弱信号检测时其长处便更其显明,但是鉴于其增管效益,信号中的噪音也会并且被放,且其增益系数受温反应必需时还需采用温补偿举措。

       0o)eE7_$v-F_3v当反向电压叠加到特定数值时,反向电流忽然增多。

       自然并且也会发生噪音电流。

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       双漂移区雪崩二极管是1970年之后现出的,其构造为P+PNN+,精神上一定于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联,从而有效地采用了电子和空穴漂移空中,故此出口功率和效率均较高。

       为博得较小的F值,应利用两种载流子离化力量相差大的资料,使具有较高离化力量的载流子渐到耗尽层,并有理设计机件构造。

       职业原理__在资料掺杂浓淡较低的PN结中,当PN结反向电压增多时,空中电荷区中的电场随着加强。

       当反向电压叠加到特定数值时,反向电流忽然增多。

       除非电场减去到雪崩电场以次,也即交变电压进负半周后,雪崩电流才肇始减去。

       这种模式的职业进程是在电路中发生电压偏激以触发机件,使二极管势垒区充塞电子-空穴等离子体体,造成机件内部电场忽然降低,而等离子体体在低场下逐步漂移出势垒区。

       半导体中两种载流子的碰撞离化力量可能性不一样,所以使具有较高离化力量的载流子渐到耗尽区有有利在一样的电场环境下博得较高的雪崩加倍。

       当反向电压叠加到某一数值后,载流子的加倍情形就像在高峻的积雪阪上发生雪崩一样,载流子增多得多而快,这么,反向电流新增,PN结就发生雪崩击穿。

       发生高频振荡的职业原理是:采用雪崩击穿对晶渐载流子,因载流子渡越晶片需求特定的时刻,因而其电流落伍于电压,现出推迟时刻,若恰该地统制渡越时刻,那样,在电流和电压瓜葛上就会现出负阻效应,从而发生高频振荡。

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